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Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces

A. A. Quivy (Alain André) S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); M. J. da Silva; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (11. 2003 Fortaleza)

Book of Abstract Fortaleza : DF/UFC, 2003

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Título:
Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces
Autor: A. A. Quivy (Alain André)
S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); M. J. da Silva; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (11. 2003 Fortaleza)
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA; SUPERFÍCIE FÍSICA
É parte de: Book of Abstract Fortaleza : DF/UFC, 2003
Editor: Fortaleza DF/UFC
Data de criação/publicação: 2003
Formato: p. Th3.
Idioma: Inglês

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