The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

Rodrigues, S.C.P. ; Araújo, Y.R.V. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; da Silva, E.F.

Applied surface science, 2008-11, Vol.255 (3), p.709-711 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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