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Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores

Janotti, Anderson

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1999-12-20

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores
  • Autor: Janotti, Anderson
  • Orientador: Fazzio, Adalberto
  • Assuntos: Monte Carlo Cinético; Difusão Em Semicondutores; Superfície; Estrutura Eletrônica; Semicondutores; Semiconductors; Diffusion In Semiconductors; Kinetic Monte Carlo; Electronic Structure; Surface
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: As propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em bulk e superfície de semicondutores são estudadas através de cálculos de primeiros princípios. Apresentamos um estudo detalhado para as relaxações e distorções para diferentes estados de carga da vacância em Ge. Nosso principal resultado é que a vacância em Ge não é um sistema de U-negativo, ao contrário do Si. Nós estudamos a superfície Si(00l) e comparamos imagens de STM para estados vazios geradas teoricamente com imagens de experiências recentes de STM de alta resolução. Apresentamos também uma análise das possíveis configurações dímero de Ge sobre Si(00l) e uma comparação de imagens de STH geradas teoricamente com imagens experimentais recentes de estágio inicial de crescimento de Ge sobre Si(00l) na temperatura ambiente. Nós estudamos de­ feitos complexos em GaAs. Em particular, nós mostramos que o par de antiestrutura AsGa + GaAs pode existir em duas configurações, nn e nnn. Nossos resultados indicam que apesar da primeira estrutura ser mais favorável energeticamente ela apresenta uma barreira de recombinação relativamente menor, e consequentemente sua concentração é muito menor que a da estrutura nnn em experiências de irradiação seguida por annealing. Por último, nós apresentamos resultados da implementação do método de Monte Carlo Cinético para o estudo da difusão de As em Si baseada em resultados de primeiros princípios para as barreiras de migração. O principal objetivo é relacionar processos microscópicos com propriedades de grande escala, isto é alcançado com um certo grau de sucesso.
  • DOI: 10.11606/T.43.1999.tde-20072012-150227
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
  • Data de criação/publicação: 1999-12-20
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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