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0.9 W/mm, 76% P.A.E. (7 GHz) GaInAs/InP composite channel HEMTs

Shealy, J.B. ; Matloubian, M. ; Liu, T.Y. ; Lam, W. ; Ngo, C.

Conference Proceedings. 1997 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1997, p.20-23

IEEE

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Título:
0.9 W/mm, 76% P.A.E. (7 GHz) GaInAs/InP composite channel HEMTs
Autor: Shealy, J.B. ; Matloubian, M. ; Liu, T.Y. ; Lam, W. ; Ngo, C.
Assuntos: Contact resistance ; Electrical resistance measurement ; Fingers ; HEMTs ; Indium phosphide ; MODFETs ; Molecular beam epitaxial growth ; Ohmic contacts ; Transconductance ; Voltage
É parte de: Conference Proceedings. 1997 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1997, p.20-23
Descrição: The power performance of Ga/sub 0.47/In/sub 0.53/As/InP composite channel HEMTs at 7 GHz is presented. Devices with a gate width of 300 /spl mu/m exhibit 0.9 W/mm and 76% power-added-efficiency (P.A.E.) at 7 GHz with a two-terminal breakdown voltage of 13.3 V.
Editor: IEEE
Idioma: Inglês

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