0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax

Wojtowicz, M. ; Lai, R. ; Streit, D.C. ; Ng, G.I. ; Block, T.R. ; Tan, K.L. ; Liu, P.H. ; Freudenthal, A.K. ; Dia, R.M.

IEEE electron device letters, 1994-11, Vol.15 (11), p.477-479 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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