skip to main content
Visitante
Meu Espaço
Minha Conta
Sair
Identificação
This feature requires javascript
Tags
Revistas Eletrônicas (eJournals)
Livros Eletrônicos (eBooks)
Bases de Dados
Bibliotecas USP
Ajuda
Ajuda
Idioma:
Inglês
Espanhol
Português
This feature required javascript
This feature requires javascript
Primo Advanced Search
Busca Geral
Busca Geral
Acervo Físico
Acervo Físico
Produção Intelectual da USP
Produção USP
Primo Advanced Search Query Term
Input search text:
Show Results with:
criteria input
Qualquer
Show Results with:
Qualquer
Primo Advanced Search prefilters
Tipo de material:
criteria input
Todos os itens
Busca Geral
Busca Simples
This feature requires javascript
A
physics
based compact model of I–V and C–V characteristics in AlGaN/GaN HEMT devices
Khandelwal, Sourabh ; Fjeldly, T.A.
Solid-state electronics, 2012-10, Vol.76, p.60-66
[Periódico revisado por pares]
Kidlington: Elsevier Ltd
Texto completo disponível
Citações
Citado por
Exibir Online
Detalhes
Resenhas & Tags
Mais Opções
Nº de Citações
This feature requires javascript
Voltar para lista de resultados
Anterior
Resultado
4
Avançar
This feature requires javascript
This feature requires javascript
Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.
Buscando por
em
scope:(USP_VIDEOS),scope:("PRIMO"),scope:(USP_FISICO),scope:(USP_EREVISTAS),scope:(USP),scope:(USP_EBOOKS),scope:(USP_PRODUCAO),primo_central_multiple_fe
Mostrar o que foi encontrado até o momento
This feature requires javascript
This feature requires javascript
Anterior
Página Inicial
RSS
Feed
Políticas
Fale Conosco
Logos de Redes Sociais: 
Logos de Redes Sociais: