Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm

M J da Silva S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)

Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003

Acesso online

Título:
Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm
Autor: M J da Silva
S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA
É parte de: Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003
Editor: Oxford
Data de criação/publicação: 2003
Formato: p. 631-633.
Idioma: Inglês

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