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Crescimento e caracterização de heteroestruturas tensionadas de InxGa1-x-As/GaAs

Ceschin, Artemis Marti

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1992-12-17

Acesso online

  • Título:
    Crescimento e caracterização de heteroestruturas tensionadas de InxGa1-x-As/GaAs
  • Autor: Ceschin, Artemis Marti
  • Orientador: Li, Maximo Siu
  • Assuntos: Caracterização; Crescimento; Heteroestruturas Tensionadas; Inxga1-X-As/Gaas; Characterization; Growth; Heterostructures; Inxga1-Xas/Gaas; Stressed
  • Descrição: Utilizando a técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), crescemos heteroestruturas tensionadas de InxGa1-xAs sobre substratos de GaAs (100). A composição de In, a espessura para a transição 2D-3D e a espessura crítica (hc) foram determinadas através da análise \"in situ\" pelo RHEED. Os valores da hc e da espessura para a transição 2D- 3D foram observadas ser funções da composição do In e da temperatura do substrato. Um estudo do efeito da desorientação do substrato de GaAs (100) de alguns graus sobre as qualidades ópticas (PL) de poços quânticos simples e múltiplos de InxGa1-xAs/GaAs também foi realizado. Microscopia eletrônica por transmissão (TEM) foi utilizada para a verificação da qualidade das interfaces dos poços quânticos de InxGa1-x/GaAs. Algumas estruturas de dupla barreira (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/AlGaAs) foram crescidas e caracterizadas opticamente (PL)
  • DOI: 10.11606/T.54.1992.tde-06022014-104232
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos
  • Data de criação/publicação: 1992-12-17
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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