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p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates

A. A. Quivy (Alain André) M Frizzarini; E C F Silva; A L Sperandio; J. R Leite (José Roberto); Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (8. 1997 Águas de Lindóia, SP)

Brazilian Journal of Physics São Paulo v. 27A, n. 4, p. 125-129, 1998

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Título:
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates
Autor: A. A. Quivy (Alain André)
M Frizzarini; E C F Silva; A L Sperandio; J. R Leite (José Roberto); Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (8. 1997 Águas de Lindóia, SP)
Assuntos: FÍSICA
É parte de: Brazilian Journal of Physics São Paulo v. 27A, n. 4, p. 125-129, 1998
Editor: São Paulo Sociedade Brasileira de Física
Data de criação/publicação: 1998
Formato: p. 125-129.
Idioma: Inglês

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