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Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2

Scalvi, L. V. A. ; Pineiz, T. F. ; Pinheiro, M. A. L. ; Saeki, M. J. ; Briois, V.

Cerâmica, 2011-09, Vol.57 (343), p.225-230 [Periódico revisado por pares]

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Título:
Resistividade do filme depositado via sol-gel e estado de oxidação do dopante Ce na matriz SnO2
Autor: Scalvi, L. V. A. ; Pineiz, T. F. ; Pinheiro, M. A. L. ; Saeki, M. J. ; Briois, V.
Assuntos: MATERIALS SCIENCE, CERAMICS
É parte de: Cerâmica, 2011-09, Vol.57 (343), p.225-230
Descrição: Incorporação de Ce3+ ou Ce4+ em filmes finos de SnO2 depositados via sol-gel-dip-coating aumenta drasticamente a resistividade elétrica. No primeiro caso, temos comportamento aceitador do dopante, levando a matriz à alta compensação de carga. Por outro lado, para Ce4+, verifica-se aumento na largura da região de depleção do contorno de grão, resultando em maior espalhamento de elétrons. Medidas de caracterização elétrica sob pressão ambiente levam à barreiras de potencial mais altas do que as medidas sob vácuo, devido a adsorção de oxigênio na superfície das partículas. A presença de Ce3+ aumenta a transmitância no infravermelho, o que significa menor quantidade de elétrons livres. Dados de XANES confirmam que o tratamento térmico a 550 ºC dos filmes, ainda que promova oxidação parcial para Ce4+, preserva uma quantidade significativa (em torno de 60%) no estado Ce3+. Espectroscopia Raman mostra a evolução dos modos de vibração intra-grãos de SnO2 com o aumento da temperatura de tratamento térmico.
Editor: Associação Brasileira de Cerâmica
Idioma: Português

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