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Critical analysis of ion detection using semiconductor field effect devices consequences for chemical and biomedical applications

R. A. S. Nascimento Marcelo Mulato; Electrochemical Society Meeting (ECS) (219. 2011 Montreal)

Abstracts Montreal, 2011

Montreal 2011

Localização: FFCLRP - Fac. Fil. Ciên. Let. de R. Preto (pcd 2253172 Estantes Deslizantes ) e outros locais(Acessar)

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Título:
Critical analysis of ion detection using semiconductor field effect devices consequences for chemical and biomedical applications
Autor: R. A. S. Nascimento
Marcelo Mulato; Electrochemical Society Meeting (ECS) (219. 2011 Montreal)
Assuntos: ÍONS; FÍSICO-QUÍMICA
É parte de: Abstracts Montreal, 2011
Editor: Montreal
Data de criação/publicação: 2011
Formato: res. 2094.
Idioma: Inglês

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