Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
ABCD PBi
Occurrence of ground and excited-state impurity bands in silicon inversion layers
Autor:
Oscar Hipólito
A. F Silva
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Fall Meeting of the Materials Research Society (1993 Boston)
Assuntos:
MATÉRIA CONDENSADA
É parte de:
Abstracts Boston : Materials Research Society, 1993
Editor:
Boston Materials Research Society
Data de criação/publicação:
1993
Formato:
res.l5.35.
Idioma:
Inglês
Disponível na Biblioteca:
IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD003052 )