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Estudo da formação e das caraterísticas de contatos 'AL'/'TI'w/'TI''SI IND.2' sobre junções rasas com aplicação da técnica AES

Rogério Furlan 1959- Jacobus Willibrordus Swart 1950-

1990

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FT-561 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Estudo da formação e das caraterísticas de contatos 'AL'/'TI'w/'TI''SI IND.2' sobre junções rasas com aplicação da técnica AES
  • Autor: Rogério Furlan 1959-
  • Jacobus Willibrordus Swart 1950-
  • Assuntos: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: Apresentamos um estudo dos processos de formação e das características elétricas da estrutura de contato 'AL'/'TI'w/'TI''SI IND.2'/'SI'. Filmes finos de 'TI' foram depositados sobre junções rasas previamente formadas pela implantação iônica de 'A IND.5' ou 'BF IND.2' e ativação de dopantes por processamento térmico rápido (rtp). O siliceto foi formado por rtp em vácuo. As amostras foram analisadas por medidas com 4 pontas, aes, xrd e rbs. Determinou-se a sequência de formação de fases ('TI''SI IND.X' (x'DA ORDEM DE'1)- 'TI''SI IND.2'-c49-'TI''SI IND.2'-c54). Verificou-se um atraso na formação da fase 'TI''SI IND.2'-c49 causado pela presença dos dopantes. Verificou-se um empurramento do 'A IND.5' para formação com tempos muito curtos e uma perda crescente de 'A IND.5' com o aumento do tempo e da temperatura. As interações entre a liga 'TI'w e 'AL', 'SI' ou 'TI''SI IND.2' foram analisadas em função da temperatura e tempo de sinterização por medidas com 4 pontas, aes, xrd e sem. Verificou-se que embora a estrutura 'AL'/'TI'w/'TI''SI IND.2' seja termicamente estável até 550'GRAUS'c (30 min) o tempo e a temperatura máxima de sinterização devem ser limitados para impedir a degradação da condutancia do 'AL'. A análise de resistores kelvin de 4 terminais revelou baixa resistividade de contato para junções 'N POT.+'-P e 'P POT.+'-N (pc'< OU =''10 POT.-7''OMEGA''CENTIMETROS QUADRADOS')
  • Data de criação/publicação: 1990
  • Formato: 261p.
  • Idioma: Português
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