Idioma:

Laser techniques for investigation of defects semiconductors and dielectrics

A. A Manenkov; Kevin S Hendzel

Localização: IF - Instituto de Física (MS PRGP v.4 )(Acessar)

Título:
Laser techniques for investigation of defects semiconductors and dielectrics
Autor: A. A Manenkov; Kevin S Hendzel
Assuntos: Semiconductors -- Defects; Dielectrics -- Defects; Laser beams; SEMICONDUTORES; DIELÉTRICOS; LASER
Notas: Includes bibliographies and index
Descrição: Investigation of impurity centers in semiconductors by IR-laser emission scattering technique / V.P. Kalinushkin -- Defect formation by intense optical excitation of alkali-halide crystals with mercury-like ions / V.P. Danilov -- Laser excitation of nonequilibrium carriers in wideband dielectrics / B.G. Gorshkov ... [et al.]
Títulos relacionados: Série:Trudy Instituta obshchei fiziki English v. 4
Editor: Commack, N.Y. Nova Science Publishers
Data de criação/publicação: c1988
Formato: vii, 204 p. ill. 25 cm.
Idioma: Inglês

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