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Idioma:

Obtenção de uma técnica de fabricação de diodos retificadores

Paulo Cesar Pinto Calabria Roberto Marconato

1976

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FD-142 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Obtenção de uma técnica de fabricação de diodos retificadores
  • Autor: Paulo Cesar Pinto Calabria
  • Roberto Marconato
  • Assuntos: DIODOS
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: O objetivo principal deste trabalho é a obtenção de uma técnica de fabricação de diodos retificadores de silício de baixa potência (aproximadamente 1 W). Tanto na fase do projeto do dispositivo, como na fase do estabelecimento do processo de fabricação, levou-se em consideração a possibilidade de um desenvolvimento posterior de uma gama mais extensa de diodos retificadores, para aplicação em média e alta potência. Além disso, o trabalho foi orientado no sentido de fornecer um processo compatível com a produção industrial em larga escala, a fim de ser implantado na indústria de semicondutores Transit Semicondutores S/A. Inicialmente, apresenta-se um estudo teórico envolvendo as características mais importantes do dispositivo, determinando seus compromissos as variáveis empregadas no projeto do mesmo. Este estudo proporciona uma linha de abordagem ao projeto de diodos retificadores, em geral, cujas características sejam compatíveis com a técnica de fabricação desenvolvida. Em seguida, descrevem-se os critérios utilizados no projeto. O problema da dissipação e da estabilidade térmicas é discutido, fornecendo elementos importantes ao dimensionamento do dispositivo e do sistema de encapsulamento. As etapas de construção do diodo, bem como algumas pesquisas experimentais necessárias ao seu desenvolvimento, são descritas. Após totalmente desenvolvido, o processo foi testado em oito lâminas, construindo-se um número significativo de diodos, para determinação das características elétricas e térmicas. As principais características elétricas obtidas são a tensão direta não ultrapassa 1,1 V, na corrente de 1,0 A e 25 ºC na função. A corrente inversa é inferior a 0,1 µA, na tensão de 1000 V e 25 ºC na junção. O tempo de recuperação inversa típico é 1,3 µs.
    O tipo de encapsulamento empregado, caracterizado pela resistência térmica de 11º C/W medida entre a junção e o ambiente, permite a utilização do diodo como retificador, conduzindo a corrente direta média de 1,0 A em condições extremas de temperatura ambiente 80 ºC, e temperatura máxima de junção 175 ºC. Estes resultados são comparáveis aos valores apresentados pelas indústrias para dispositivos equivalentes.
  • Data de criação/publicação: 1976
  • Formato: 1 v.
  • Idioma: Português
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