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Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2"

Frederico Ayres de Oliveira Neto L. V. C Assali (Lucy Vitória Credidio)

2005

Localização: IF - Instituto de Física    (530.4 O48p D Ex.2 )(Acessar)

  • Título:
    Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2"
  • Autor: Frederico Ayres de Oliveira Neto
  • L. V. C Assali (Lucy Vitória Credidio)
  • Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO; PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS; FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: O iodeto de mercúrio em sua fase vermelha, "alfa"-"HgI IND.2, é um material semicondutor que desperta grande interesse tecnológico devido à sua potencial aplicação como detector, a temperatura ambiente, de raios-"gama" e X. Sua imediata aplicação como detector de radiação, no entanto, ainda sofre algumas restrições devido às dificuldades de controle sobre a concentração de defeitos pontuais e extensos, durante sua síntese, e sua fácil degradação quando exposto ao ambiente. A presença destes defeitos gera uma redução na mobilidade de portadores de carga, diminuindo a eficiência de detecção. Neste trabalho, realizamos uma investigação teórica das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas do "alfa"-"HgI IND.2" e do "ZnI IND.", cuja estrutura cristalina é análoga à do "alfa"-"HgI IND.2". Estudamos, também, o comportamento de tais propriedades do material contendo vacâncias de Hg e de I para entendermos o papel desempenhado por estes defeitos nas propriedades do material. Na análise dos resultados, sempre que possível, são apresentadas comparações com outros resultados teóricos e com dados experimentais. Nossos cálculos foram efetuados dentro do formalismo do funcional da densidade em combinação com duas diferentes aproximações para o termo de exchange e correlação. Utilizamos o método Augmented Plane Wave plus local orbitals (APW+lo), que é um método de primeiros princípios e inclui todos os elétrons do sistema (all electron). Adicionalmente, foram utilizados
    esquemas que incluem efeitos relativísticos e polarização de spin. O estudo dos defeitos foi simulado através do esquema da supercélula
  • Data de criação/publicação: 2005
  • Formato: 184 p.
  • Idioma: Português
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