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Contribuição ao modelamento de transistores bipolares
Jean Albert Bodinaud Jacobus Willibrordus Swart 1950-
1995
Localização:
EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central
(FT-1013 )
e outros locais
(Acessar)
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Título:
Contribuição ao modelamento de transistores bipolares
Autor:
Jean Albert Bodinaud
Jacobus Willibrordus Swart 1950-
Assuntos:
ENGENHARIA ELÉTRICA
Notas:
Tese (Doutorado)
Descrição:
Para que o projetista de circuitos integrados tire melhor proveito da potencialidade dos processos de fabricação, é necessário um trabalho de modelamento dos dispositivos ativos, dentre os quais incluem-se os transistores bipolares de junção. Tipicamente trata-se do interface entre a engenharia de sistemas e a tecnologia de fabricação ou seja entre dois profissionais de perfil diferente; o projetista de sistemas e o tecnólogo. O objetivo deste trabalho é apresentar a potencialidade dos modelos analíticos do transistor bipolar como instrumento de trabalho neste interface. O estudo apresentado aprimora o modelamento e a caracterização dos diodos e dos transistores bipolares pela definição de junções PN equivalentes de dopagem uniforme. Graças à formulação analítica resultante, as capacitâncias, transcondutâncias e resitências de base melhoram sua precisão de simulação. Os critérios estabelecidos de equivalência de junção PN levam em conta as variações de carga elétrica e de energia eletrostática quando a polarização da junção oscila entre dois pontos. Uma outra contribuição importante deste trabalho é de mostrar como o modelo de cargas permite definir, com embasamento físico, a interdependência dos vários parâmetros dos modelos dos transistores NPN,PNP lateral e PNP substrato. A decomposição dos parâmetros do modelo de cargas numa componente geométrica, ligado ao projeto do transistor, e numa componente tecnológica, ligada à fabricação da pastilha ou da lâmina de silício, leva à uma redução drástica do número de parâmetros independentes necessário à simulação da relação entre dispersões tecnológicas e características elétricas de circuitos integrados. A metodologia aplicada à tecnologia analógica bipolar de 40 volts pode ser generalizada para as tecnologias VLSI, ECL ou BICMOS.
Data de criação/publicação:
1995
Formato:
1 v.
Idioma:
Português
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