Implantation site of boron in heavily doped silicon: A β-NMR study

Metzner, H. ; Sulzer, G. ; Seelinger, W. ; Ittermann, B. ; Erank, H. -P. ; Fischer, B. ; Ergezinger, K. -H. ; Dippel, R. ; Diehl, E. ; Stöckmann, H. -J. ; Ackermann, H.

Hyperfine interactions, 1990-08, Vol.60 (1-4), p.769-772 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível