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Sensor de temperatura na tecnologia CMOS para proteção de CIs: arquitetura e aplicações.

Quispe Cartagena, Luis Antonio

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2019-12-06

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Sensor de temperatura na tecnologia CMOS para proteção de CIs: arquitetura e aplicações.
  • Autor: Quispe Cartagena, Luis Antonio
  • Orientador: Salcedo, Walter Jaimes
  • Assuntos: Ataques De Mal Funcionamento; Cartões Inteligentes; Circuitos Integrados; Temperatura; Cmos; Sensor; Microeletrônica; Smart Cards; Malfunction Attacks; Integrated Circuit; Temperature Sensor
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Notas Locais: Programa Engenharia Elétrica
  • Descrição: Neste trabalho de pesquisa são apresentados os resultados do projeto de um sensor de temperatura de baixa potência para a proteção de cartões inteligentes de ataques a sua segurança nos extremos da faixa de temperatura operacional. Os ataques geralmente utilizam técnicas de geração de falhas que normalmente aparecem em condições ambientais anormais tal como o estado de elevada temperatura, provocando assim o mau funcionamento do processador no cartão inteligente, permitindo o acesso adicional à informação. O objetivo deste projeto foi o desenvolvimento de um sistema de proteção do chip de cartões inteligentes desta arte de adulteração de segurança para a faixa de temperatura de -20 ºC a 120 ºC para tal fim foi projetado um sistema sensor de temperatura de área pequena e de baixo consumo de energia. O sensor foi projetado em Cadence usando o conceito System-on-a-Chip (SoC) na tecnologia padrão CMOS de 0,18 ?m e opera com uma tensão de alimentação de 1,2V. O Sensor de temperatura é baseado em um circuito com dois transistores CMOS (Complementary Metal Oxide Semicondutor) e um transistor bipolar PNP para produzir uma tensão CTAT (Complementary To Absolute Temperature voltage). O resultado obtido da simulação nas condições de temperaturas extremas de -40 ºC a 140 ºC e Vdd = 1,2V±10%, mostram um excelente desempenho para o sensor; com uma taxa de rejeição da fonte de alimentação PSRR (Power supply rejection ratio) -62 dB no pior dos casos e com histerese de 5mV. Este novo design de circuito pode efetivamente funcionar como um excelente protetor contra adulteração de segurança em cartões inteligentes.
  • DOI: 10.11606/D.3.2020.tde-06022020-111900
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica
  • Data de criação/publicação: 2019-12-06
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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