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Neutralização dos niveis de impureza de 'CU', 'AG' e 'AU' em silicio por hidrogenio

Joseanne Gomes Angelo Antonini Lucy Vitoria Credidio Assali

1989

Localização: IF - Instituto de Física    (https://doi.org/10.11606/D.43.2017.tde-13032017-141121 )(Acessar)

  • Título:
    Neutralização dos niveis de impureza de 'CU', 'AG' e 'AU' em silicio por hidrogenio
  • Autor: Joseanne Gomes Angelo Antonini
  • Lucy Vitoria Credidio Assali
  • Assuntos: SEMICONDUTORES; Semiconductors
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Este trabalho consiste no estudo da neutralização de centros associados a níveis profundos em silício, através da introdução de hidrogênio atômico no sistema. Foi utilizado o modelo de aglomerado molecular com saturação dos orbitais de superfície pela esfera de Watson dentro do formalismo do método do Espalhamento Múltiplo-X. Estudamos inicialmente as impurezas isoladas substitucionais: Si:l=lu, Si:l=lg e Si:Cu, com intuito de observarmos os efeitos causados pela introdução dos hidrogênios atômicos. Os complexos estudados envolvem quatro átomos de hidrogênio situados nos primeiros interstícios tetraédricos ao centro CSi:l=luH,, Si:l=lgH, e Si:CuH,) . Para investigar a passivação, fizemos cálculos auto consistentes para várias configurações atômicas. Em cada configuração os 4 átomos de hidrogênio foram deslocados simetricamente em torno da impureza substitucional. Para cada nova configuração, os sistemas foram também estudados nos estados de carga negativo e positivo, que representamos por CSi:XH,)- e CSi:XH,)o. O modelo microscópico proposto mostrou-se apropriado para explicar os mecanismos da neutralização de defeitos profundos em semicondutores.
  • Data de criação/publicação: 1989
  • Formato: 109 p.
  • Idioma: Português
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