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NEUTRALIZACAO DOS NIVEIS DE IMPUREZA DE Cu,Ag E Au EMSILICIO POR HIDROGENIO

Angelo, Joseanne Gomes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1989-08-29

Acesso online

  • Título:
    NEUTRALIZACAO DOS NIVEIS DE IMPUREZA DE Cu,Ag E Au EMSILICIO POR HIDROGENIO
  • Autor: Angelo, Joseanne Gomes
  • Orientador: Assali, Lucy Vitoria Credidio
  • Assuntos: Semicondutores; Semiconductors
  • Descrição: Este trabalho consiste no estudo da neutralização de centros associados a níveis profundos em silício, através da introdução de hidrogênio atômico no sistema. Foi utilizado o modelo de aglomerado molecular com saturação dos orbitais de superfície pela esfera de Watson dentro do formalismo do método do Espalhamento Múltiplo-X. Estudamos inicialmente as impurezas isoladas substitucionais: Si:l=lu, Si:l=lg e Si:Cu, com intuito de observarmos os efeitos causados pela introdução dos hidrogênios atômicos. Os complexos estudados envolvem quatro átomos de hidrogênio situados nos primeiros interstícios tetraédricos ao centro CSi:l=luH,, Si:l=lgH, e Si:CuH,) . Para investigar a passivação, fizemos cálculos auto consistentes para várias configurações atômicas. Em cada configuração os 4 átomos de hidrogênio foram deslocados simetricamente em torno da impureza substitucional. Para cada nova configuração, os sistemas foram também estudados nos estados de carga negativo e positivo, que representamos por CSi:XH,)- e CSi:XH,)o. O modelo microscópico proposto mostrou-se apropriado para explicar os mecanismos da neutralização de defeitos profundos em semicondutores.
  • DOI: 10.11606/D.43.2017.tde-13032017-141121
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
  • Data de criação/publicação: 1989-08-29
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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