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Effect of gate voltage in few layer schottky graphene transistors at the presence of different ethanol concentrations

Luis Enrique Gomez Armas Manuel Fernando Gonzalez Huila; Mariana Pojar; Henrique Estanislau Maldonado Peres; Francisco Javier Ramírez Fernandez 1944-; Márcio de Almeida Valle; Koiti Araki; Henrique Eisi Toma; Antonio Domingues dos Santos; Antonio Carlos Seabra 1961-; Brazilian MRS Meeting (11. 2012 Florianópolis); Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais (SBPMat) (11. 2012 Florianópolis)

Anais Rio de Janeiro : Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais (SBPMat), 2012

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Título:
Effect of gate voltage in few layer schottky graphene transistors at the presence of different ethanol concentrations
Autor: Luis Enrique Gomez Armas
Manuel Fernando Gonzalez Huila; Mariana Pojar; Henrique Estanislau Maldonado Peres; Francisco Javier Ramírez Fernandez 1944-; Márcio de Almeida Valle; Koiti Araki; Henrique Eisi Toma; Antonio Domingues dos Santos; Antonio Carlos Seabra 1961-; Brazilian MRS Meeting (11. 2012 Florianópolis); Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais (SBPMat) (11. 2012 Florianópolis)
Assuntos: NANOTECNOLOGIA
É parte de: Anais Rio de Janeiro : Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais (SBPMat), 2012
Editor: Rio de Janeiro Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais SBPMat
Data de criação/publicação: 2012
Formato: res. 4TN4 PS-I39.
Idioma: Inglês

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