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Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III

L. K. Teles (Lara Kühl) Luisa Maria Ribeiro Scolfaro

Available at IF - Instituto de Física (537.5 T269p M Ex.2 )(GetIt)

Title:
Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III
Author: L. K. Teles (Lara Kühl)
Luisa Maria Ribeiro Scolfaro
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
Notes: Dissertação (Mestrado)
Description: Neste trabalho efetuamos estudos pioneiros de propriedades estruturais e eletrônicas do grupo III, em particular para o GaN e InN. Para tanto, fizemos uso de dois métodos, semi-empírico (Tight-Biding) e outro ab initio (full potential Linear Augmented Plane Wave - FPLAPW). Na primeira parte, estudamos a deposição de algumas camadas de GaN cúbico sobre o substrato 'beta'-SiC na direção <100> através de cálculos autoconsistentes tight-Biding da energia total. Obtivemos para diversos sistemas as energias de coesão, deslocamentos atômicos, ocupação das ligações pendentes e reconstruções da superfície. O substrato de SiC e as camadas epitaxiais de Ga-N são representados por supercélulas 2x2. Como resultado obtivemos que os átomos da superfície formam dimeros simetrica- ou assimetricamente, resultando em reconstruções da superfície tipo 2x1, c-2x2 ou 2x2. Independentemente da terminação do substrato, o nitrogênio se liga mais fortemente que o gálio. Na segunda parte, estudamos a estrutura
Creation Date: 1997
Format: 93 p.
Language: Portuguese

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