Idioma:

Polyaniline electrodeposited on top of fluorine-doped tin oxide film as chemically-sensitive layer of extended gate field effect transistor instrumental amplifier vs. single EGFET

H. Mello T Heimfarth; F Lima; Luciano Bachmann; Marcelo Mulato; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (37. 2014 Costa do Sauípe)

Book of Abstracts São Paulo : SBF, 2014

Localização: FFCLRP - Fac. Fil. Ciên. Let. de R. Preto (pcd 2509464 Estantes Deslizantes )(Acessar)

Título:
Polyaniline electrodeposited on top of fluorine-doped tin oxide film as chemically-sensitive layer of extended gate field effect transistor instrumental amplifier vs. single EGFET
Autor: H. Mello
T Heimfarth; F Lima; Luciano Bachmann; Marcelo Mulato; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (37. 2014 Costa do Sauípe)
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
É parte de: Book of Abstracts São Paulo : SBF, 2014
Notas Locais: A BCRP possui o material impresso
Editor: São Paulo SBF
Data de criação/publicação: 2014
Formato: on-line.
Idioma: Inglês

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