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Towards higher thermoelectric performance of Bi2Te3 via defect
engineering
Liu, Yufei ; Zhou, Menghan ; He, Jian
Scripta materialia, 2016-01, Vol.111, p.39-43
[Periódico revisado por pares]
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Título:
Towards higher thermoelectric performance of Bi2Te3 via defect
engineering
Autor:
Liu, Yufei
;
Zhou, Menghan
;
He, Jian
Assuntos:
Crystal defects
;
Dislocations
;
Grain boundaries
;
Nanostructure
;
Thermal conductivity
;
Thermoelectric materials
;
Thermoelectricity
;
Three dimensional
É parte de:
Scripta materialia, 2016-01, Vol.111, p.39-43
Notas:
ObjectType-Article-1
SourceType-Scholarly Journals-1
ObjectType-Feature-2
content type line 23
Descrição:
No thermoelectric material would have attained its best performance without defects. The electrical resistivity, Seebeck coefficient, and thermal conductivity in their totality are manifestations of charge flow, phonon flow, and their interplay mediated by defects. We herein focus on the role of 0-D defects (dopants, vacancies, interstitials, and antisites), 1-D defects (dislocations), 2-D defects (grain boundaries), and 3-D defects (nanoinclusions) in a benchmark thermoelectric material Bi2Te3. The results give new insights into developing higher performance thermoelectric materials via defect
engineering
.
Idioma:
Inglês
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