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Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-

2001

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FT-1597 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores
  • Autor: Victor Sonnenberg
  • João Antonio Martino 1959-
  • Assuntos: MICROELETRÔNICA
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Notas Locais: Microeletrônica
  • Descrição: Neste trabalho são propostos novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores MOS implementados em lâminas de Silício-Sobre-Isolante. Através do capacitor SOI de dois terminais são propostos os métodos para a determinação da concentração de dopantes do substrato (Nab), da carga efetiva de óxido na terceira interface (Qox3) e da espessura do óxido enterrado (toxb). Usando o capacitor SOI de três terminais, os métodos para a determinação da espessura da camada de silício (tSi), da concentração de dopantes da camada de silício (Naf ou Ndf) e das cargas efetivas de óxido na primeira (Qox1) e na segunda (Qox2) interface também são propostos. Simulações numéricas bidimensionais, utilizando-se o MEDICI, são realizadas para a análise das curvas Capacitância-Tensão (CxV) dos capacitores SOI e também para a validação e a análise da sensibilidade dos métodos propostos. Os métodos são aplicados experimentalmente e resultados coerentes com a tecnologia SOI analisada são obtidos. A principal vantagem dos métodos propostos é sua simplicidade de aplicação, pois parâmetros importantes da tecnologia SOI são obtidos através de simples curvas Capacitância-Tensão de capacitores MOS fabricados em lâminas SOI
  • Data de criação/publicação: 2001
  • Formato: 143 p.
  • Idioma: Português
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