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Amplificadores distribuídos de microondas

Cristiane Ferreira de Araujo Melo Fatima Salete Correra 1955-

1998

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FD-2257 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Amplificadores distribuídos de microondas
  • Autor: Cristiane Ferreira de Araujo Melo
  • Fatima Salete Correra 1955-
  • Assuntos: ENGENHARIA ELÉTRICA
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: O tema central desta dissertação de mestrado são os amplificadores distribuídos de microondas a MESFET, utilizados para obtenção de ganho plano em banda ultralarga. Apresenta-se o princípio de funcionamento desse tipo de amplificador, discutindo-se as equações analíticas de projeto proposta para o mesmo e as limitações associadas a essas equações, deduzidas a partir de modelos simplificados do MESFET. Propõem-se um procedimento de projeto que emprega equações analíticas disponíveis na literatura para calcular os valores iniciais dos elementos do circuito e otimização computacional para se obter ganho plano sobre banda ultra-larga. Aplica-se a técnica proposta ao projeto de um amplificador distribuído, construído por tecnologia de circuito integrado monolítico de microondas, em "foundry" de GaAs. Discute-se o efeito dos parasitas de leiaute sobre o desempenho do amplificador em banda ultra-larga e a compensação dos mesmos durante as etapas de otimização do circuito projetado. Comenta-se as principais características do processo de construção do amplificador, realizado na GEC-Marconi, na Inglaterra. Apresenta-se os procedimentos de caracterização "on wafer" do amplificador distribuído na faixa de 100 MHz a 20 GHz, discutindo-se cuidados requeridos para realização das medidas de ganho e perda de retorno de entrada e de saída do "chip" com precisão. O amplificador apresentou ganho de potencia de 6,9 +/- 1 dB na faixa de 800 MHz a 17,35 GHz,
    associado a perda de retorno de entrada menor que -12,7 dB e a perda de retorno de entrada e de saída abaixo de -10 dB, demonstrando boa planicidade de ganho em faixa ultra-larga, associado a coeficiente de reflexão reduzido, com desempenho pioneiro a nível nacional e comparável a resultados obtidos internacionalmente quando se utiliza tecnologia MMIC com MESFETs de 0,5 'mü'm. Verificou-se boa concordância ) entre as características medidas e simuladas do amplificador distribuído, demostrando-se que as pequenas diferenças de desempenho observadas estão associadas a variações inerentes ao processo de fabricação de circuitos integrados monolíticos de microondas
  • Data de criação/publicação: 1998
  • Formato: 83 p.
  • Idioma: Português
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