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Cristalização em filmes de a-\'Si IND. 1-X\'\'C IND. X\':H.

D'Addio, Tatiana Ferrari

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2001-04-19

Acesso online

  • Título:
    Cristalização em filmes de a-\'Si IND. 1-X\'\'C IND. X\':H.
  • Autor: D'Addio, Tatiana Ferrari
  • Orientador: Fantini, Marcia Carvalho de Abreu
  • Assuntos: Cristalização; Física; Crystallization; Physics
  • Descrição: Neste trabalho, analisamos as propriedades químicas, morfológicas e estruturais de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-\'Si IND. 1-X\' \'C IND. X\':H), crescidos pelo método de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD), sob o efeito de pós-tratamentos térmicos. Todas as amostras foram depositadas no regime de \"plasm\" faminto\" por silano, utilizando como gases reativos o silano e o metano. Filmes crescidos nessas condições apresentam estrutura de ordem local similar à de carbeto de silício cristalino. Foram analisadas e correlacionadas as propriedades de filmes com diferentes composições, depositadas sobre diferentes substratos. Nossos resultados não apenas são consistentes com dados da literatura, como também indicam que filmes estequiométricos são cristalizados a uma temperatura inferior às reportadas, com indícios de epitaxia do material sobre substrato de Si[100]. Os filmes não estequiométricos apresentam uma formação maisintensa de óxidos e não apresentam evidências de cristalização durante os processos de tratamento térmico.
  • DOI: 10.11606/D.43.2001.tde-27052021-183842
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
  • Data de criação/publicação: 2001-04-19
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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