Idioma:

The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

S. C. P. Rodrigues Y. R. V Araújo; Guilherme Matos Sipahi; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; E. F Silva Junior

Applied Surface Science Amsterdam v. 255, n. 3, p.709-711, Nov. 2008

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD015389 )(Acessar)

Título:
The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor
Autor: S. C. P. Rodrigues
Y. R. V Araújo; Guilherme Matos Sipahi; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; E. F Silva Junior
Assuntos: SPIN; POLARIZAÇÃO; FERROMAGNETISMO; SEMICONDUTORES
É parte de: Applied Surface Science Amsterdam v. 255, n. 3, p.709-711, Nov. 2008
Editor: Amsterdam
Data de criação/publicação: 2008
Formato: p. 709-711.
Idioma: Inglês

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