The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

S. C. P. Rodrigues Y. R. V Araújo; Guilherme Matos Sipahi; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; E. F Silva Junior

Applied Surface Science Amsterdam v. 255, n. 3, p.709-711, Nov. 2008

Amsterdam 2008

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD015389 )(Acessar)