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Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica

Fernando Josepetti Fonseca 1959- Ely Antonio Tadeu Dirani; Carlos Alberto Sassaki; Adnei Melges de Andrade 1943-; A Takahashi; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (19. 1996 Águas de Lindóia, SP)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1996

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Título:
Efeito do recozimento sobre o conteudo de H em películas de a-Si:H dopadas por implantação iônica
Autor: Fernando Josepetti Fonseca 1959-
Ely Antonio Tadeu Dirani; Carlos Alberto Sassaki; Adnei Melges de Andrade 1943-; A Takahashi; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (19. 1996 Águas de Lindóia, SP)
Assuntos: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
É parte de: Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1996
Editor: São Paulo Sociedade Brasileira de Física
Data de criação/publicação: 1996
Formato: p. 642.
Idioma: Português

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