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The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (13. 1998 Curitiba)

SBMicro'ICMP 98 : Proceedings Curitiba : SBMicro/LACTRO/LAC, 1998

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Título:
The influence of the back gate voltage on the leakage drain current in accumulation mode SOI pMOSFETs at high temperatures
Autor: Marcello Bellodi
João Antonio Martino 1959-; International Conference on Microelectronics and Packaging (13. 1998 Curitiba)
Assuntos: SEMICONDUTORES
É parte de: SBMicro'ICMP 98 : Proceedings Curitiba : SBMicro/LACTRO/LAC, 1998
Editor: Curitiba SBMicro/LACTRO/LAC
Data de criação/publicação: 1998
Formato: p. 557-563.
Idioma: Inglês

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