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Idioma:

Transporte de elétrons por tunelamento em heterojunções isótipas

Carlos Ignacio Zamitti Mammana Richard Louis Anderson

1969

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FT-42 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Transporte de elétrons por tunelamento em heterojunções isótipas
  • Autor: Carlos Ignacio Zamitti Mammana
  • Richard Louis Anderson
  • Assuntos: TRANSPORTE DE ELÉTRONS
  • Notas: Tese (Doutorado)
  • Descrição: Foi feito um estudo do tunelamento de elétrons nas heterojunções isótipas n-n para investigar o transporte de elétrons em barreiras Schottky. Atacamos o problema aplicando o modelo de bandas de energia. Foi efeita a integração da densidade de corrente de tunelamento calculada com a aproximação WKB, obtendo-se uma função da tensão, temperatura e concentração de doadores no GaAs. Para podermos comparar os resultados deste cálculo com dados experimentais, construímos heterojunções de Ge e GaAs por processo de crescimento epitaxial do Ge sobre amostras de GaAs com dopagem situada entre 1016cm-3 e 1019cm-3. Foi calculada a corrente de elétrons no sentido de condução do GaAs para o Ge por integração numérica e os resultados comparados com os experimentais, obtendo-se bom ajuste para a função da corrente com as três variáveis V, T, e ND. A densidade de corrente de tunelamento como função da energia J(ex) apresenta um ponto de máximo para um valor de energia situado entre o fundo da banda de condução e o topo da barreira. Procuramos associar este ponto de máximo ao fator n que aparece na equação empírica I – I0exp(gV/nKT) apresentada na literatura. Os resultados obtidos mostram que esta aproximação só é válida se o ponto de máximo e n forem independentes da tensão e temperatura, o que não ocorre com estes dispositivos. Medidas de dI/dV como função da tensão inversa a 77°K feitas para diodos com várias dopagens do GaAs, mostram que a estrutura encontrada segue a mesma dependência que a exigida pela variação do nível de Fermi em função da dopagem a 77°K, apresentando um desvio máximo da ordem de -0,16eV entre a estrutura medida e a inferida pelo modelo de bandas .
  • Data de criação/publicação: 1969
  • Formato: 1 v.
  • Idioma: Português
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