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Design and optimization of linearly graded-doping junction termination extension for 3.3-kV-class IGBTs

蒋华平 陈万军 刘闯 饶祖刚 董彬 张波

Journal of semiconductors, 2011-12, Vol.32 (12), p.72-75, Article 124004 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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