Idioma:

Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs

Adelcio Marques de Souza Daniel Ricardo Celino; Regiane Ragi; Murilo Araujo Romero

Microelectronics Journal v. 119, article 105324, p. 1-8, 2022

Localização: EESC - Esc. Engenharia de São Carlos (PROD-027000 )(Acessar)

Título:
Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs
Autor: Adelcio Marques de Souza
Daniel Ricardo Celino; Regiane Ragi; Murilo Araujo Romero
Assuntos: SEMICONDUTORES; NANOTECNOLOGIA; ENGENHARIA ELÉTRICA
É parte de: Microelectronics Journal v. 119, article 105324, p. 1-8, 2022
Notas: Disponível em: http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2021.105324 Acesso em: 02 abr. 2024.
Editor: London, UK
Data de criação/publicação: 2022
Formato: article 105324, p. 1-8.
Idioma: Inglês

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