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p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant

T. E. Lamas (Tomás Erikson) A. A Quivy (Alain André); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (25. 2002 Caxambú)

Resumos São Paulo, 2002

São Paulo SBF 2002

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Título:
p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant
Autor: T. E. Lamas (Tomás Erikson)
A. A Quivy (Alain André); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (25. 2002 Caxambú)
Assuntos: SEMICONDUTORES
É parte de: Resumos São Paulo, 2002
Editor: São Paulo SBF
Data de criação/publicação: 2002
Formato: p. 456.
Idioma: Inglês

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