Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.
Sasaki, Katia Regina Akemi
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-11-17
Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.
- 0
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
ft-3744 versão corr.
ft-369
browse_callnumber
display.do?vl(4708289UI0)=creator&gathStatTab=true&dscnt=0&callNumberBrowseField=browse_callnumber&mode=Basic&tabRealType=browseshelf&vid=USP&rfnGrp=1&tab=default_tab&vl(56004861UI1)=all_items&dstmp=1719240522318&rfnGrpCounter=1&scp.scps=scope%3A%28USP_VIDEOS%29%2Cscope%3A%28%22PRIMO%22%29%2Cscope%3A%28USP_FISICO%29%2Cscope%3A%28USP_EREVISTAS%29%2Cscope%3A%28USP%29%2Cscope%3A%28USP_EBOOKS%29%2Cscope%3A%28USP_PRODUCAO%29%2Cprimo_central_multiple_fe&fctV=Transistores&callNumber=ft-3725+vers%C3%A3o+corr.&fctN=facet_topic&vl(freeText0)=Martino%2C%20A&ct=display&fn=search&indx=6&recIdxs=0&elementId=0
Página Inicial
RSS
Feed
Políticas
Fale Conosco-
Realização:
Logos de Redes Sociais: 