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Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.

Rangel, Ricardo Cardoso

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2014-02-10

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.
  • Autor: Rangel, Ricardo Cardoso
  • Orientador: Martino, João Antonio
  • Assuntos: Educação (Microeletrônica); Transistores; Soi; Mosfet; Microeletrônica; Microelectronics; Education (Microelectronics); Transistors
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Notas Locais: Programa Engenharia Elétrica
  • Descrição: Neste trabalho é desenvolvido de forma inédita no Brasil um processo simples de fabricação de transistores FD SOI nMOSFET (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) com porta de silício policristalino, para servir como base para futuros desenvolvimentos e, também, com finalidade de educação em microeletrônica. É proposta uma sequência de etapas de fabricação necessárias para a obtenção do dispositivo FD SOI nMOSFET, usando apenas 3 etapas de fotogravação e usando o óxido enterrado, intrínseco à tecnologia SOI, como região de campo, objetivando a obtenção do processo mais simples possível e eficiente. São apresentados os procedimentos detalhados de todas as etapas de fabricação executadas. Para obtenção da tensão de limiar de 1V foram fabricadas amostras com 2 doses diferentes de implantação iônica, 1,0x1013cm-2 e 1,2x1013cm-2. Estas doses resultaram em tensões de limiar (VTH) de 0,72V e 1,08V; respectivamente. Como esperado, a mobilidade independente de campo (0) é maior na amostra com dose menor, sendo de 620cm²/Vs e, para a dose maior, 460cm²/Vs. A inclinação de sublimiar é calculada através da obtenção experimental do fator de acoplamento capacitivo () 0,22; para as duas doses, e resulta em 73mV/déc. O ganho intrínseco de tensão (AV) mostrou-se maior na amostra com maior dose em função da menor condutância de saída, sendo 28dB contra 26dB para a dose menor, no transistor com L=40m e W=12m. Desta forma foi possível implementar uma sequência simples de fabricação de transistores SOI, com resultados elétricos relevantes e com apenas 3 etapas de fotogravação, fato importante para viabilizar seu uso em formação de recursos humanos para microeletrônica.
  • DOI: 10.11606/D.3.2014.tde-12122014-153226
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica
  • Data de criação/publicação: 2014-02-10
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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