Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy

G Zanelato Yuri A Pusep; J C Galzerani; D I Lubyshev; Pedro Pablo González-Borrero

Physica E Amsterdam v.10, n.4, p.587-592, 2001

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD007335 )(Acessar)

Título:
Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Autor: G Zanelato
Yuri A Pusep; J C Galzerani; D I Lubyshev; Pedro Pablo González-Borrero
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA
É parte de: Physica E Amsterdam v.10, n.4, p.587-592, 2001
Notas: Disponível em: http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7. Acesso em: 30 nov. 2022
Editor: Amsterdam
Data de criação/publicação: 2001
Formato: p.587-592.
Idioma: Inglês

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