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Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy

Pierre Basmaji

v.70, n.5 , p.2866-7, sep. 1991 Journal of Applied Physics

1991

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD001941 )(Acessar)

  • Título:
    Selenium-dx center-doped 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' grown by molecular beam epitaxy
  • Autor: Pierre Basmaji
  • Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; MATÉRIA CONDENSADA
  • É parte de: v.70, n.5 , p.2866-7, sep. 1991 Journal of Applied Physics
  • Data de criação/publicação: 1991
  • Formato: p.2866-7.
  • Idioma: Inglês
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