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Produção Intelectual da USP
Busca Simples
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Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures
Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-
São Paulo EPUSP 2002
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Título:
Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures
Autor:
Marcello Bellodi
João Antonio Martino 1959-
Assuntos:
FILMES FINOS
Títulos relacionados:
Série:Boletim Técnico da Escola Politécnica da USP. Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos, BT / PSI / 0209
Editor:
São Paulo EPUSP
Data de criação/publicação:
2002
Formato:
p. 1-10.
Idioma:
Inglês
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