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Propriedades químicas e morfológicas de filmes hidrogenados de carbeto de silício amorfo.

Prado, Rogério Junqueira

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 1997-04-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

  • Título:
    Propriedades químicas e morfológicas de filmes hidrogenados de carbeto de silício amorfo.
  • Autor: Prado, Rogério Junqueira
  • Orientador: Fantini, Marcia Carvalho de Abreu
  • Assuntos: Carbeto De Silicio; Pecvd; Raios X; Saxs; Silicon Carbide; X-Rays
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Nesta dissertação discorremos acerca do crescimento e caracterização de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H), crescidos pelo método de deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD) no regime de baixa densidade de potência a partir de misturas de silano e metano. Foram analisadas e correlacionadas as propriedades ópticas, morfológicas e composicionais de filmes depositados em diferentes condições de fluxo de silano e concentração de metano. Os resultados não apenas confirmaram dados anteriores obtidos em filmes de a-Si1-xCx:H similares, mas possibilitaram uma melhor compreensão das características deste material. Para a obtenção de um composto de alto gap, alto conteúdo de carbono, química e morfologicamente homogêneo é necessário utilizar baixos fluxos de silano e alta concentração de metano, condições de deposição conhecidas como regime de \"plasma faminto por silano\". Neste regime são crescidos filmes com Eg > 3 eV, x > 0,5, maior concentração de ligações Si-C, concentração de hidrogênio de 50 at.%, menor proporção de radicais CH3 e menor densidade de poros.
  • DOI: 10.11606/D.43.1997.tde-07032002-142147
  • Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
  • Data de criação/publicação: 1997-04-22
  • Formato: Adobe PDF
  • Idioma: Português
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