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Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100)

Gustavo Martini Dalpian Adalberto Fazzio

2000

Localização: IF - Instituto de Física (https://doi.org/10.11606/D.43.2000.tde-02082013-150131 )(Acessar)

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Título:
Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100)
Autor: Gustavo Martini Dalpian
Adalberto Fazzio
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA; Crescimento De Semicondutores; Ge Sobre Si(100); Metodo De Primeiros Princípios; First Principles Method; Ge On Si(100); Growth Of Semiconductors
Notas: Dissertação (Mestrado)
Descrição: A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseudopotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstruçõesdesta superfície. Obtivemos os principais sítios ligantes para pequenas estruturas de Germânio adsorvidas sobre ela. Para um átomo adsorvido o sítio mais estável encontrado foi o sítio M, semelhante a resultados existentes na literatura. Adiferença está na configuração dos dímeros de 'SI' da superfície. Observamos que diferentes configurações destes dímeros nos forneciam diferentes sítios metaestáveis. O deslocamento dos dímeros da superfície é tratado então como um novo grau deliberdade para a adsorção de átomos, além da posição destes sobre a superfície. Também foi estudada a adsorção de alguns trímeros de 'GE' sobre a superfície, sendo que a estrutura encontrada como sendo a mais estável concorda muito bem comoutros resultados teóricos e experimentais
Data de criação/publicação: 2000
Formato: 66 p.
Idioma: Português

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Estudo dos estágios iniciais dos crescimentos de 'GE' sobre 'SI' (100)

Gustavo Martini Dalpian Adalberto Fazzio

2000

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