Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates
Marcos Frizzarini Alexander Luz Sperandio; Euzi Conceição Fernandes da Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (20. 1997 Caxambu)
Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1997São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1997
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