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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers

Nihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.

Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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