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0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Título:
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
Autor: Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.
Assuntos: Analytical models ; Applied sciences ; CMOS technology ; Compound structure devices ; Electronics ; Electrons ; Etching ; Exact sciences and technology ; Fabrication ; MOSFET circuits ; Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices ; Silicon compounds ; Substrates ; Temperature dependence ; Tunneling
É parte de: IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022
Descrição: A 0.1- mu m-gate CMOS/SIMOX is fabricated using high-quality SIMOX substrates with a sub-100-nm-thick buried oxide layer. In addition, 0.085- mu m-gate nMOSFETs/SIMOX and pMOSFETs/SIMOX with 8-nm-thick silicon active layers have been fabricated. The prospects for improving the performance of 0.1- mu m-gate CMOS/SIMOX devices are discussed in detail.< >
Editor: New York, NY: IEEE
Idioma: Inglês

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