Idioma:

ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs

Franca, Ecio Jose

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

Título:
ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
Autor: Franca, Ecio Jose
Orientador: Assali, Lucy Vitoria Credidio
Assuntos: Circuitos Eletrônicos; Estrutura Eletrônica; Electron Circuits; Electron Structure
Notas: Tese (Doutorado)
Descrição: Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados com a esfera de Watson.
DOI: 10.11606/T.43.2017.tde-06062017-150805
Editor: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física
Data de criação/publicação: 1996-02-23
Formato: Adobe PDF
Idioma: Português

Links

Voltar para lista de resultados

Anterior Resultado 7 Avançar Ir para próxima página