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Captura de impurezas metálicas em silício por camadas implantadas com argônio

Paulo Martins Engel Joel Pereira de Souza

1981

Localização: EPBC - Esc. Politécnica-Bib Central    (FD-350 ) e outros locais(Acessar)

  • Título:
    Captura de impurezas metálicas em silício por camadas implantadas com argônio
  • Autor: Paulo Martins Engel
  • Joel Pereira de Souza
  • Assuntos: SILÍCIO; ARGÔNIO
  • Notas: Dissertação (Mestrado)
  • Descrição: Neste trabalho desenvolvemos o estudo de um processo combinado de eliminação de defeitos cristalinos por oxidação a alta temperatura em ambiente contendo Cloro com o de captura de impurezas metálicas por camadas implantadas com Argônio. Inicialmente apresentamos as técnicas de captura mais utilizadas e suas características principais. Fixamo-nos então, mais detalhadamente no processo de implantação iônica de Argônio em Silício para captura de impurezas metálicas, demonstrando a necessidade do emprego de uma etapa extra de processamento para eliminação de defeitos cristalinos nativos. Para este fim, apresentamos as condições de oxidação em ambiente contendo Cloro que proporcionam a eliminação destes defeitos. A seguir analisamos o processo de medida dos tempos de vida dos portadores minoritários por capacitores MOS pulsados, utilizado para a avaliação da eficiência deste processo de captura. Abordamos também, a técnica de retroespalhamento de Rutherford que foi utilizada para o estudo da estrutura da camada implantada após etapas térmicas. Foi estabelecida então, uma estrutura apropriada de capacitores MOS para a medida de tempo de vida. Definimos as etapas de processamento necessárias para fabricação destes capacitores, procurando-se variar os parâmetros da implantação iônica e do recozimento térmico, a fim de determinarmos a combinação destes parâmetros que torna este processo de captura mais eficiente. Pela medida dos tempos de vida através de capacitores MOS, obtivemos resultados excelentes, que estão entre os melhores publicados (400 µ - 3ms). Pela técnica adotada, obtivemos também um grau de uniformidade destes valores o qual até agora, não havia sido apresentado na literatura. Baseado nos resultados obtidos para diversas condições de implantação iônica e de recozimento, propomos finalmente as condições deste processo para se chegar a eficiências mais altas.
  • Data de criação/publicação: 1981
  • Formato: 1 v apêndice.
  • Idioma: Português
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