Idioma:

Hopping–tunneling model to describe electric charge injection at metal/organic semiconductor heterojunctions

Giovani Gozzi Edivaldo Leal Queiroz; Valtencir Zucolotto; Roberto Mendonça Faria; Dante Luis Chinaglia

Physica Status Solidi B Weinheim : Wiley-VCH Verlag v. 252, n. 2, p. 404-410, Feb. 2015

Disponible en IFSC - Inst. Física de São Carlos (PROD023441 )(Obténgalo)

Título:
Hopping–tunneling model to describe electric charge injection at metal/organic semiconductor heterojunctions
Autor: Giovani Gozzi
Edivaldo Leal Queiroz; Valtencir Zucolotto; Roberto Mendonça Faria; Dante Luis Chinaglia
Materias: SEMICONDUTORES; POLÍMEROS (MATERIAIS); NANOTECNOLOGIA
Es parte de: Physica Status Solidi B Weinheim : Wiley-VCH Verlag v. 252, n. 2, p. 404-410, Feb. 2015
Notas: Disponível em: <http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201451556>. Acesso em: 28 abr. 2015
Editor: Weinheim
Fecha de creación: 2015
Formato: p. 404-410.
Idioma: Inglés

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