Post-deposition annealing challenges for ALD Al0.5Si0.5Ox/n-GaN MOS devices

Fernandes Paes Pinto Rocha, P. ; Vauche, L. ; Bedjaoui, M. ; Cadot, S. ; Mohamad, B. ; Vandendaele, W. ; Martinez, E. ; Gauthier, N. ; Pierre, F. ; Grampeix, H. ; Lefèvre, G. ; Salem, B. ; Sousa, V.

Solid-state electronics, 2023-11, Vol.209, p.108780, Article 108780 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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